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硅材料是半导体材料的重要组成部分，其中杂质元素的含量对其性能有着重要的影响。因此，准确测定硅材料中杂质元素的含量是非常重要的。本标准采用辉光放电质谱法进行测定，具有灵敏度高、准确度高、分析速度快等优点。

1.范围
本标准适用于硅材料中杂质元素含量的测定，如硅单晶、硅多晶、硅片、硅粉等。

2.仪器设备
2.1 辉光放电质谱仪
2.2 氩气或氩气混合气体
2.3 标准样品

3.试样制备
3.1 试样应当符合GB/T 6908的规定。
3.2 试样应当经过必要的前处理，如清洗、研磨等。

4.操作步骤
4.1 样品的制备
将试样切割成适当大小，然后进行必要的前处理。
4.2 仪器的准备
将辉光放电质谱仪进行预热，然后进行气体的充填和调节。
4.3 标准曲线的绘制
使用标准样品绘制标准曲线。
4.4 样品的测定
将样品放入辉光放电质谱仪中进行测定。
4.5 数据处理
根据标准曲线计算出样品中杂质元素的含量。

5.结果表示
结果应当按照GB/T 8170的规定进行表示。

6.注意事项
6.1 仪器的使用和维护应当符合相关规定。
6.2 样品的制备和处理应当严格按照相关规定进行。
6.3 气体的使用和调节应当符合相关规定。
6.4 标准曲线的绘制应当符合相关规定。
6.5 数据处理应当符合相关规定。

相关标准：
GB/T 6908-2008 硅材料试样制备方法
GB/T 8170-2008 数值舍入规则及其应用
GB/T 20123-2006 金属材料中杂质元素含量的测定 等离子体质谱法
GB/T 20124-2006 金属材料中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
GB/T 20125-2006 金属材料中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法