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碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高频、高压、高功率等优异性能，被广泛应用于电力电子、光电子、无线通信等领域。N型同质外延片是碳化硅器件制备的重要材料之一，其质量直接影响到器件的性能和可靠性。为了保证碳化硅N型同质外延片的质量，提高器件的性能和可靠性，制定了DB13/T 5118-2019标准。

本标准主要包括以下方面的要求：

1.材料要求：要求外延片材料为N型同质碳化硅，杂质控制在一定范围内，要求材料的晶格结构、晶面取向、表面形貌等符合要求。

2.尺寸要求：要求外延片的直径、厚度、平整度、边缘形状等符合要求，同时要求外延片的尺寸稳定性好。

3.表面质量要求：要求外延片表面光洁度高，无裂纹、划痕、氧化物等缺陷，同时要求表面的平整度好。

4.物理性能要求：要求外延片的热导率、热膨胀系数、硬度等物理性能符合要求。

5.电学性能要求：要求外延片的电阻率、载流子浓度、迁移率等电学性能符合要求。

6.光学性能要求：要求外延片的透射率、反射率、折射率等光学性能符合要求。

7.包装要求：要求外延片的包装符合要求，能够保护外延片不受损坏。

8.标识要求：要求外延片的标识清晰、准确，能够识别外延片的型号、批次、生产厂家等信息。

相关标准：
GB/T 19515.1-2017 碳化硅半导体器件 第1部分：通用要求
GB/T 19515.2-2017 碳化硅半导体器件 第2部分：晶体管
GB/T 19515.3-2017 碳化硅半导体器件 第3部分：二极管
GB/T 19515.4-2017 碳化硅半导体器件 第4部分：整流器
GB/T 19515.5-2017 碳化硅半导体器件 第5部分：MOSFET