ISO 12406:2010标准规定了使用次级离子质谱法对硅中砷进行深度剖析的方法。该标准适用于研究硅中砷的分布和浓度，以及砷在硅中的扩散和浓度分布的变化。

该标准要求使用次级离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析。在进行深度剖析前，需要对硅样品进行表面清洗和处理，以确保样品表面的纯净度和平整度。然后，使用次级离子质谱仪对样品进行剖析，得到硅中砷的深度分布和浓度分布。

该标准还规定了次级离子质谱仪的操作要求和校准要求。在进行深度剖析前，需要对次级离子质谱仪进行校准，以确保测量结果的准确性和可靠性。同时，还需要对次级离子质谱仪进行操作，以确保测量过程的稳定性和可重复性。

该标准适用于研究硅中砷的分布和浓度，以及砷在硅中的扩散和浓度分布的变化。该标准适用于半导体行业、电子行业和材料科学领域的研究和应用。

相关标准
- ISO 18115-1:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第1部分：一般原则和术语
- ISO 18115-2:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第2部分：仪器性能
- ISO 18115-3:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第3部分：样品制备
- ISO 18115-4:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第4部分：数据处理
- ISO 18115-5:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第5部分：应用