ISO 17560:2014标准是一项表面化学分析的标准，主要用于硅中硼深度剖析的次级离子质谱法。硅中硼是一种重要的掺杂剂，广泛应用于半导体工业中。硅中硼的分布、浓度和掺杂剂的扩散等问题对于半导体器件的性能和稳定性有着重要的影响。因此，硅中硼深度剖析的次级离子质谱法是半导体工业中非常重要的分析方法之一。

ISO 17560:2014标准规定了硅中硼深度剖析的次级离子质谱法的样品制备、分析条件、数据处理等方面的要求。在样品制备方面，要求样品表面必须平整、干净，没有任何污染物。在分析条件方面，要求使用高能量的离子束轰击样品表面，使得样品表面的原子被击出并形成次级离子。然后，通过质谱仪对次级离子进行分析，得到硅中硼的深度分布信息。在数据处理方面，要求对得到的数据进行校正和修正，以消除仪器本身的误差和样品表面的非均匀性。

ISO 17560:2014标准的实施可以保证硅中硼深度剖析的次级离子质谱法的测试结果的准确性和可靠性。该标准的实施可以帮助半导体工业中的研究人员和工程师更好地了解硅中硼的分布、浓度和掺杂剂的扩散等问题，从而更好地设计和制造半导体器件。

相关标准
ISO 18115-1:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第1部分：总则和术语
ISO 18115-2:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第2部分：仪器性能
ISO 18115-3:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第3部分：样品制备
ISO 18115-4:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第4部分：数据处理
ISO 18115-5:2016 表面化学分析——次级离子质谱法——第5部分：深度剖析