X射线光电子能谱法是一种表面化学分析技术，可以用于分析材料表面的化学成分和化学状态。在XPS测量中，样品表面被照射一束高能X射线，这些X射线会使样品表面的原子发生电离，产生光电子。这些光电子的能量与原子的电子结构有关，可以用来确定样品表面的化学成分和化学状态。

硅氧化物是一种常见的材料，广泛应用于半导体、光学和电子器件等领域。在这些应用中，硅氧化物的厚度是一个重要的参数，因为它会影响材料的电学、光学和机械性能。因此，测量硅氧化物的厚度是一项重要的任务。

ISO 14701:2018标准规定了使用XPS测量硅氧化物厚度的方法。该标准适用于厚度在0.5 nm至10 nm之间的SiOx薄膜。在测量过程中，需要对XPS仪器进行校准，以确保测量结果的准确性。校准包括能量校准、角度校准和定量校准。能量校准是指确定X射线的能量，角度校准是指确定X射线入射角度和光电子发射角度，定量校准是指确定光电子信号的强度与样品表面化学成分的定量关系。

在测量过程中，需要注意一些因素可能会影响测量结果的准确性。例如，样品表面的污染物、氧化物和水分子可能会干扰测量结果。因此，在测量之前需要对样品进行表面清洁和处理。此外，还需要对测量数据进行分析，以确定硅氧化物的厚度和化学成分。

ISO 14701:2018标准的发布，为测量硅氧化物厚度提供了一个标准化的方法。该标准的实施可以提高测量结果的准确性和可重复性，为硅氧化物的应用和研究提供了可靠的数据支持。

相关标准
- ISO 18115-1:2016 表面化学分析——X射线光电子能谱法——第1部分：术语和定义
- ISO 18115-2:2016 表面化学分析——X射线光电子能谱法——第2部分：仪器规范和检验方法
- ISO 18115-3:2016 表面化学分析——X射线光电子能谱法——第3部分：数据处理
- ISO 18115-4:2016 表面化学分析——X射线光电子能谱法——第4部分：数据解释
- ISO 18115-5:2016 表面化学分析——X射线光电子能谱法——第5部分：测量方法