扫描电子显微镜（SEM）是一种常用的微观分析仪器，可以对样品进行高分辨率的表面形貌和成分分析。在微电子学领域中，SEM被广泛应用于半导体器件、集成电路、显示器件、光学器件、MEMS器件等领域中的关键尺寸测量。关键尺寸是指对器件性能影响较大的尺寸参数，如晶体管的栅长、栅宽、源漏极距离等。关键尺寸的测量精度对于器件的性能和可靠性具有重要影响。

ISO 21466:2019标准规定了使用CD-SEM评估关键尺寸的方法。CD-SEM是一种基于扫描电子显微镜的测量技术，可以对样品表面进行高分辨率的图像获取和尺寸测量。该标准主要包括以下内容：

1. 定义关键尺寸的概念和术语。该标准对关键尺寸的定义进行了详细说明，包括尺寸参数、测量方法、测量误差等方面。

2. 确定关键尺寸的测量方法。该标准规定了CD-SEM测量关键尺寸的方法，包括样品制备、SEM参数设置、图像获取、尺寸测量等方面。

3. 确定关键尺寸的测量误差。该标准对CD-SEM测量关键尺寸的误差进行了分析和评估，包括系统误差、随机误差等方面。

4. 确定关键尺寸的测量不确定度。该标准对CD-SEM测量关键尺寸的不确定度进行了分析和评估，包括测量误差、样品制备误差、SEM参数设置误差等方面。

5. 确定关键尺寸的测量重复性。该标准对CD-SEM测量关键尺寸的重复性进行了分析和评估，包括不同操作者、不同设备、不同时间等方面。

6. 确定关键尺寸的测量可追溯性。该标准要求CD-SEM测量关键尺寸的结果必须具有可追溯性，即必须能够追溯到国际或国家标准单位。

ISO 21466:2019标准的实施可以确保关键尺寸的测量结果准确可靠，以满足微电子学领域中对关键尺寸的精度要求。该标准适用于半导体器件、集成电路、显示器件、光学器件、MEMS器件等微电子学领域中的关键尺寸测量。

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