硅片是半导体材料中最重要的一种，其质量直接影响到半导体器件的性能。硅片中的氧沉淀是影响硅片质量的一个重要因素。氧沉淀会导致硅片中的晶格缺陷增加，从而影响硅片的电学性能。因此，研究硅片的氧沉淀特性对于提高半导体器件的性能具有重要意义。

本标准通过测量间隙氧含量的减少来表征硅片氧沉淀特性。间隙氧是指硅片中的氧原子与硅原子之间的氧化物。硅片中的氧沉淀会导致间隙氧含量的减少。因此，通过测量间隙氧含量的减少可以间接地反映硅片的氧沉淀特性。

本标准的具体实施方法如下：

1. 样品制备
将硅片样品切割成大小适宜的块状，然后用去离子水和丙酮分别清洗，最后用氮气吹干。

2. 测量间隙氧含量
将样品放入高温炉中，在高温下（1100℃）进行氧化处理。处理时间为4小时。处理结束后，将样品取出，用去离子水和丙酮分别清洗，最后用氮气吹干。然后使用X射线荧光光谱仪测量样品中间隙氧含量。

3. 测量间隙氧含量的减少
将样品放入高温炉中，在高温下（1100℃）进行氧化处理。处理时间为4小时。处理结束后，将样品取出，用去离子水和丙酮分别清洗，最后用氮气吹干。然后再次测量样品中间隙氧含量。间隙氧含量的减少值即为硅片的氧沉淀特性。

本标准的实施可以帮助研究人员评价硅片的氧沉淀特性，为半导体器件的研发提供参考。

相关标准
GB/T 19532-2004 半导体硅片质量检验规范
GB/T 19533-2004 半导体硅片表面缺陷检验规范
GB/T 19534-2004 半导体硅片尺寸检验规范
GB/T 19535-2004 半导体硅片厚度检验规范
GB/T 19536-2004 半导体硅片取样方法