硅外延层是半导体器件中的重要组成部分，其电阻率的测量对于器件的性能评估和制造工艺的优化具有重要意义。本标准提供了一种可靠的测量硅外延层电阻率的方法，即面接触三探针方法。

该方法需要使用一台三探针测试仪器，其中两个探针用于加电，一个探针用于测量电压。测试时，将两个加电探针分别接在硅外延层的两个端点上，第三个探针则接在硅外延层的中央位置上。通过测量加电探针之间的电压和电流，可以计算出硅外延层的电阻率。

在进行测试前，需要对测试仪器进行校准，以确保测试结果的准确性。同时，还需要对硅外延层进行表面处理，以保证测试时的稳定性和可重复性。

本标准详细描述了测试方法的步骤和注意事项，并提供了计算公式和实例。同时，还对测试结果的精度和误差进行了讨论和分析。

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