半导体深能级是指在半导体材料中，能级位置比较深的能级。深能级的存在会影响半导体材料和器件的电学性能，因此深能级的研究和控制对于半导体材料和器件的性能提升和制造过程的质量控制具有重要意义。

瞬态电容测试是一种常用的深能级测试方法。该方法通过在半导体材料或器件中施加短脉冲电压，观察电容的瞬态响应，从而得到深能级的信息。瞬态电容测试方法具有非破坏性、高精度、高灵敏度等优点，因此被广泛应用于半导体材料和器件的深能级研究和制造过程中的质量控制。

本标准规定了半导体深能级的瞬态电容测试方法。具体内容包括测试设备、测试样品的制备、测试方法、测试数据的处理等方面。其中，测试设备应满足一定的性能要求，包括测试电压的范围、测试时间的分辨率、测试温度的控制等。测试样品的制备应符合一定的要求，包括样品的准备、表面处理、电极制备等。测试方法应包括测试参数的设置、测试过程的控制、测试数据的采集等。测试数据的处理应包括数据的分析、结果的判定等。

本标准适用于半导体材料和器件的深能级研究和制造过程中的质量控制。通过本标准规定的测试方法，可以得到准确、可靠的深能级信息，为半导体材料和器件的性能提升和制造过程的质量控制提供重要依据。

相关标准
- GB/T 19582-2004 半导体器件参数测量方法
- GB/T 19583-2004 半导体器件可靠性试验方法
- GB/T 19584-2004 半导体器件封装可靠性试验方法
- GB/T 19585-2004 半导体器件温度特性试验方法
- GB/T 19586-2004 半导体器件电磁兼容试验方法