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碳化硅单晶是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能，被广泛应用于电力电子、光电子、微波电子等领域。为了保证碳化硅单晶的电学性能，需要对其进行测试。本标准旨在规定碳化硅单晶电学性能的测试方法，以保证其质量和可靠性。

1.范围
本标准适用于碳化硅单晶电学性能的测试方法，包括电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、电容等参数的测试方法。

2.测试仪器
2.1 电阻率测试仪
2.2 霍尔效应测试仪
2.3 载流子浓度测试仪
2.4 迁移率测试仪
2.5 电容测试仪

3.测试方法
3.1 电阻率测试方法
将碳化硅单晶样品切割成长方形，将电极固定在样品两端，通过电阻率测试仪测量样品的电阻率。
3.2 霍尔系数测试方法
将碳化硅单晶样品切割成长方形，将电极固定在样品两端，通过霍尔效应测试仪测量样品的霍尔系数。
3.3 载流子浓度测试方法
将碳化硅单晶样品切割成长方形，将电极固定在样品两端，通过载流子浓度测试仪测量样品的载流子浓度。
3.4 迁移率测试方法
将碳化硅单晶样品切割成长方形，将电极固定在样品两端，通过迁移率测试仪测量样品的迁移率。
3.5 电容测试方法
将碳化硅单晶样品切割成圆形，将电极固定在样品两端，通过电容测试仪测量样品的电容。

4.测试结果的表示方法
测试结果应以表格的形式呈现，包括样品编号、测试参数、测试结果等内容。

相关标准：
GB/T 19519-2004 碳化硅单晶晶体缺陷的分类和计数方法
GB/T 19520-2004 碳化硅单晶晶体缺陷的评定方法
GB/T 19521-2004 碳化硅单晶晶体缺陷的测量方法
GB/T 19522-2004 碳化硅单晶晶体缺陷的统计方法
GB/T 19523-2004 碳化硅单晶晶体缺陷的报告方法