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半绝缘半导体晶片是半导体器件中的一种，其电阻率是其性能的重要指标之一。传统的电阻率测量方法需要接触式测量，但这种方法会对晶片造成损伤，影响其性能。因此，无接触测量方法成为了半绝缘半导体晶片电阻率测量的重要手段。

SJ/T 11487-2015《半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法》是我国针对该领域的标准。该标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法，包括测量原理、测量装置、测量步骤、测量结果的处理等内容。

该标准规定了测量原理为利用霍尔效应测量半绝缘半导体晶片的电阻率。测量装置包括霍尔元件、磁场源、电源、信号处理器等。测量步骤包括样品的制备、测量装置的搭建、测量参数的设置、测量数据的采集等。测量结果的处理包括数据的处理、结果的分析等。

该标准的实施可以提高半绝缘半导体晶片电阻率的测量精度，减少对晶片的损伤，提高晶片的使用寿命。同时，该标准的实施也可以促进半导体器件的发展，推动我国半导体产业的发展。

相关标准：
GB/T 8170-2008 计量术语和一般原则
GB/T 9969-2011 半导体器件试验方法
GB/T 13926.1-2008 半导体器件封装 第1部分：一般规定
GB/T 13926.2-2008 半导体器件封装 第2部分：塑料封装
GB/T 13926.3-2008 半导体器件封装 第3部分：金属封装