SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
发布时间:2015-04-30 实施时间:2015-10-01
碳化硅单晶是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子、光电、光学等领域。在制备碳化硅单晶器件时,抛光片的表面质量对器件性能有着重要的影响。因此,对碳化硅单晶抛光片表面质量进行测试是非常必要的。
本标准主要包括以下方面的测试方法:
1. 表面缺陷测试方法
表面缺陷是指抛光片表面的裂纹、划痕、气泡、坑洞等缺陷。本标准采用目视检查和显微镜检查相结合的方法进行表面缺陷测试。目视检查主要用于检查表面裂纹、划痕、气泡等较大的缺陷,显微镜检查主要用于检查表面坑洞等较小的缺陷。
2. 表面平整度测试方法
表面平整度是指抛光片表面的平整程度。本标准采用激光干涉仪进行表面平整度测试。测试时,将激光干涉仪放置在抛光片表面,通过测量激光的干涉条纹数来计算表面平整度。
3. 表面光洁度测试方法
表面光洁度是指抛光片表面的光洁程度。本标准采用原子力显微镜进行表面光洁度测试。测试时,将原子力显微镜放置在抛光片表面,通过测量表面的原子力来计算表面光洁度。
4. 表面形貌测试方法
表面形貌是指抛光片表面的形态特征。本标准采用扫描电子显微镜进行表面形貌测试。测试时,将扫描电子显微镜放置在抛光片表面,通过扫描表面来获取表面形貌信息。
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