半绝缘砷化镓是一种重要的半导体材料，广泛应用于高速电子器件、光电器件等领域。为了保证半绝缘砷化镓器件的性能，需要对其电阻率、霍尔系数和迁移率等参数进行测试。本标准旨在规定半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率的测试方法，以保证测试结果的准确性和可靠性。

1.范围
本标准适用于半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率的测试。

2.引用标准
GB/T 8170 数字表示法和圆整规则
GB/T 9966.1 半导体器件试验方法 第1部分：通用规定
GB/T 9966.2 半导体器件试验方法 第2部分：电学性能测量
GB/T 9966.3 半导体器件试验方法 第3部分：光电性能测量
GB/T 9966.4 半导体器件试验方法 第4部分：热学性能测量

3.术语和定义
3.1 半绝缘砷化镓
指砷化镓材料中掺杂浓度较低的区域，其电阻率较高，介于金属和绝缘体之间。

3.2 电阻率
指单位长度内材料的电阻值。

3.3 霍尔系数
指在外加磁场下，材料中载流子受到洛伦兹力的作用，导致电荷分布发生变化，从而引起电势差的变化。霍尔系数是电势差与磁场强度和电流密度的比值。

3.4 迁移率
指载流子在电场作用下的移动速率与电场强度的比值。

4.测试方法
4.1 电阻率的测试方法
4.1.1 样品制备
将半绝缘砷化镓样品切割成长方形，尺寸为10mm×5mm×0.5mm，两侧面抛光，保证表面光洁度。

4.1.2 测试仪器
使用四探针法测试电阻率，测试仪器应满足GB/T 9966.2的要求。

4.1.3 测试步骤
将样品放置在测试仪器上，调整四探针位置，使其与样品接触良好。施加电流，测量电压，计算电阻率。

4.2 霍尔系数的测试方法
4.2.1 样品制备
将半绝缘砷化镓样品切割成长方形，尺寸为10mm×5mm×0.5mm，两侧面抛光，保证表面光洁度。

4.2.2 测试仪器
使用霍尔效应测试仪器测试霍尔系数，测试仪器应满足GB/T 9966.2的要求。

4.2.3 测试步骤
将样品放置在测试仪器上，施加电流和磁场，测量电势差和磁场强度，计算霍尔系数。

4.3 迁移率的测试方法
4.3.1 样品制备
将半绝缘砷化镓样品切割成长方形，尺寸为10mm×5mm×0.5mm，两侧面抛光，保证表面光洁度。

4.3.2 测试仪器
使用霍尔效应测试仪器测试迁移率，测试仪器应满足GB/T 9966.2的要求。

4.3.3 测试步骤
将样品放置在测试仪器上，施加电流和磁场，测量电势差和磁场强度，计算迁移率。

相关标准
GB/T 8170 数字表示法和圆整规则
GB/T 9966.1 半导体器件试验方法 第1部分：通用规定
GB/T 9966.2 半导体器件试验方法 第2部分：电学性能测量
GB/T 9966.3 半导体器件试验方法 第3部分：光电性能测量
GB/T 9966.4 半导体器件试验方法 第4部分：热学性能测量