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硅材料中间隙氧含量是影响硅材料电学性能的重要因素之一。短基线红外吸收光谱法是测量硅中间隙氧含量的一种有效方法。本标准适用于测量硅中间隙氧含量的短基线红外吸收光谱法。

1.范围
本标准适用于测量硅中间隙氧含量的短基线红外吸收光谱法。

2.引用标准
GB/T 6682-2008 分析化学实验室水质规范及评价方法
GB/T 8170-2008 数字表示法和圆整规则
GB/T 11261-2009 硅材料中间隙氧含量的测定 红外吸收法
GB/T 20123-2006 硅材料中间隙氧含量的测定 电子自旋共振法
GB/T 20124-2006 硅材料中间隙氧含量的测定 光致发光法

3.术语和定义
3.1 短基线红外吸收光谱法
在红外光谱中，选择一段较短的波长范围，测量样品在该波长范围内的吸收光谱，以此来确定样品中间隙氧含量的方法。
3.2 中间隙氧含量
硅材料中间隙氧含量是指硅晶体中间隙位置上氧原子的含量。

4.仪器和设备
4.1 红外光谱仪
4.2 氮气保护装置
4.3 石英吸收池
4.4 恒温水浴器
4.5 称量仪器

5.试验步骤
5.1 样品制备
5.2 样品测量
5.3 数据处理

6.结果表示
6.1 报告中应包括以下内容：
a) 样品名称、编号、来源、制备日期等信息；
b) 测量条件，包括红外光谱仪型号、石英吸收池长度、样品厚度、扫描速度、光程等；
c) 测量结果，包括吸收峰位置、吸收峰强度等；
d) 数据处理方法和结果；
e) 不确定度评定。

7.质量保证
7.1 样品制备
7.2 样品测量
7.3 数据处理

相关标准：
GB/T 6682-2008 分析化学实验室水质规范及评价方法
GB/T 11261-2009 硅材料中间隙氧含量的测定 红外吸收法
GB/T 20123-2006 硅材料中间隙氧含量的测定 电子自旋共振法
GB/T 20124-2006 硅材料中间隙氧含量的测定 光致发光法