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硅衬底是半导体材料制备中的重要材料，其中氮浓度是影响硅衬底性能的重要因素之一。因此，准确测量硅衬底中氮浓度对于半导体材料制备具有重要意义。本标准旨在规定硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法，以提高测量准确度和可靠性。

本标准适用于硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量。测量范围为1×10^14~1×10^18 atoms/cm^3。

本标准规定了测量前的样品制备、测量条件、数据处理等方面的要求。其中，样品制备包括样品的清洗、切割、抛光等步骤；测量条件包括离子源、加速电压、扫描范围等参数的设定；数据处理包括质谱峰的识别、质量分析、浓度计算等步骤。

本标准要求测量结果的相对标准偏差不得大于10%。同时，本标准还规定了测量结果的报告要求，包括测量结果的单位、精度、误差等内容。

相关标准：
GB/T 6900-2006 半导体硅单晶生长用硅原料
GB/T 6901-2006 半导体硅单晶生长用硅原料化学分析方法
GB/T 6902-2006 半导体硅单晶生长用硅原料物理性能测定方法
GB/T 6903-2006 半导体硅单晶生长用硅原料包装、标志、运输和贮存
GB/T 6904-2006 半导体硅单晶生长用硅原料质量控制方法