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碳化硅单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、光学等领域。在制备碳化硅单晶器件时，抛光片表面粗糙度是一个重要的参数，直接影响器件的性能。因此，准确测量碳化硅单晶抛光片表面粗糙度是非常必要的。

本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。测试方法采用原子力显微镜（AFM）进行测量，可以得到表面粗糙度的各项参数，如Ra、Rq、Rz等。

测试前需要对样品进行处理，包括清洗、干燥等步骤。测试时需要选择合适的扫描区域和扫描参数，保证测试结果的准确性和可重复性。测试结果应该进行统计分析，得到平均值和标准差等参数。

本标准的实施可以帮助制备碳化硅单晶器件的研究人员和生产厂家准确测量抛光片表面粗糙度，提高器件的性能和可靠性。

相关标准：
GB/T 15754-2008 碳化硅单晶生长用石墨舟
GB/T 15755-2008 碳化硅单晶生长用石墨棒
GB/T 15756-2008 碳化硅单晶生长用石墨管
GB/T 15757-2008 碳化硅单晶生长用石墨板
GB/T 15758-2008 碳化硅单晶生长用石墨环