重掺硅衬底是半导体材料中的重要组成部分，其氧浓度是影响器件性能的重要因素之一。因此，准确测量重掺硅衬底中氧浓度对于半导体器件的研究和制造具有重要意义。

本标准规定了重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法。该方法通过二次离子质谱仪测量重掺硅衬底中氧的含量，具有测量精度高、分析速度快等优点。

本标准的主要内容包括：仪器和设备、试样制备、测量条件、数据处理等方面。其中，仪器和设备包括二次离子质谱仪、样品制备设备等；试样制备包括样品的切割、抛光等；测量条件包括离子束能量、扫描范围等；数据处理包括质谱峰面积计算、氧浓度计算等。

本标准的实施可以提高重掺硅衬底中氧浓度的测量精度和准确度，为半导体器件的研究和制造提供技术支持。

相关标准
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