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半导体红外发射二极管是一种将电信号转换为红外辐射的器件，广泛应用于红外遥控、红外通信、红外测温等领域。调制带宽是指在一定的调制频率下，发射二极管输出信号的带宽。调制带宽的大小直接影响到发射二极管的信号传输质量，因此对于发射二极管的调制带宽进行准确的测量是非常重要的。

本标准规定了半导体红外发射二极管调制带宽的测量方法。具体步骤如下：

1. 测量设备的准备

使用频率范围为1MHz~10MHz的信号源，输出电平为0.5V~1.5V的正弦波信号。使用带宽范围为1Hz~10MHz的频谱分析仪，对信号源输出的信号进行频谱分析。

2. 测量样品的准备

将待测样品连接到信号源的输出端，将频谱分析仪连接到样品的输出端。

3. 测量过程

将信号源输出的正弦波信号调制到待测样品的工作频率，调制深度为50%。在频谱分析仪上观察到样品输出的频谱图像，记录下频率响应曲线的3dB带宽。

4. 测量结果的处理

将记录下的3dB带宽值除以调制频率，得到调制带宽值。

本标准的实施可以保证半导体红外发射二极管调制带宽的准确测量，为发射二极管的应用提供了可靠的技术支持。

相关标准：
GB/T 231.1-2002 电子元器件试验方法 第1部分：一般规定
GB/T 231.2-2002 电子元器件试验方法 第2部分：电性能测量
GB/T 231.3-2002 电子元器件试验方法 第3部分：机械性能测量
GB/T 231.4-2002 电子元器件试验方法 第4部分：环境试验方法的一般规定
GB/T 231.5-2002 电子元器件试验方法 第5部分：环境试验方法的热试验