半导体红外发射二极管是一种将电能转换为红外辐射能的器件，广泛应用于红外遥控、红外通信、红外测温等领域。总电容是半导体红外发射二极管的一个重要参数，它对器件的频率响应、发射功率等性能有着重要的影响。因此，准确测量半导体红外发射二极管的总电容是保证器件性能稳定的关键之一。

本标准规定了半导体红外发射二极管总电容的测量方法。测量时，需要使用LCR测试仪或者阻抗分析仪，将半导体红外发射二极管与测试仪相连，通过测量电容值的变化来计算总电容。具体测量步骤如下：

1. 将半导体红外发射二极管放置在温度为25℃±5℃的环境中，使其达到稳定状态。

2. 将测试仪的测试频率设置为1kHz。

3. 将测试仪的测试电平设置为0.1Vrms。

4. 将测试仪的测试夹具与半导体红外发射二极管相连。

5. 测量半导体红外发射二极管的空载电容值C0。

6. 将测试仪的测试夹具与一个100Ω的电阻相连，再将电阻的另一端与半导体红外发射二极管相连。

7. 测量半导体红外发射二极管与电阻串联后的电容值C1。

8. 计算半导体红外发射二极管的总电容Ct，公式如下：

Ct = (C1 - C0) / 2

其中，C1为半导体红外发射二极管与电阻串联后的电容值，C0为半导体红外发射二极管的空载电容值。

需要注意的是，在测量过程中，应尽量避免半导体红外发射二极管与测试仪之间的电缆过长，以免影响测量精度。同时，应注意测试仪的测试频率和测试电平的设置，以保证测量结果的准确性。

相关标准
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GB/T 231.2-2002 电子元器件试验方法 第2部分：电容器

GB/T 231.3-2002 电子元器件试验方法 第3部分：电感器

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