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半导体红外发射二极管是一种将电能转换为红外辐射能的器件，广泛应用于红外遥控、红外通信、红外测温等领域。而串联电阻是半导体红外发射二极管中的一个重要参数，它对器件的电学性能和光学性能都有着重要的影响。因此，准确测量半导体红外发射二极管的串联电阻是保证器件性能的重要手段。

本标准规定了半导体红外发射二极管的串联电阻的测量方法。该方法适用于直接测量串联电阻的情况，即在器件两端加上一定的电压，通过测量电流和电压来计算串联电阻。具体步骤如下：

1. 准备测试仪器和器件。测试仪器包括电源、万用表、示波器等。器件应选取符合要求的样品，并按照要求进行预处理。

2. 连接测试电路。将器件的正极和负极分别连接到电源的正极和负极，同时将万用表和示波器连接到器件的两端。

3. 调整测试电路。根据要求调整电源的电压和电流，使其符合器件的工作条件。同时，根据示波器的显示结果，调整万用表的量程和测量方式，以便准确测量器件的电流和电压。

4. 测量数据。在测试电路稳定后，记录器件的电流和电压值，并计算出串联电阻。同时，根据要求进行数据处理和分析，得出最终的测试结果。

本标准的实施可以保证半导体红外发射二极管的串联电阻测量的准确性和可重复性，为器件的性能评估和质量控制提供了重要的技术支持。

相关标准：
GB/T 231.1-2002 电阻器和电阻材料 第1部分：一般规定
GB/T 231.2-2002 电阻器和电阻材料 第2部分：试验方法
GB/T 231.3-2002 电阻器和电阻材料 第3部分：标准电阻值和公差
GB/T 231.4-2002 电阻器和电阻材料 第4部分：电阻温度系数
GB/T 231.5-2002 电阻器和电阻材料 第5部分：电阻噪声