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半导体红外发射二极管是一种常用的红外光源，其辐射强度的测量对于保证红外传感器的性能至关重要。本标准旨在规定半导体红外发射二极管辐射强度的测量方法，以确保测量结果的准确性和可靠性。

1.范围
本标准适用于半导体红外发射二极管辐射强度的测量。

2.引用标准
GB/T 3785.1-2010 电子元器件试验方法 第1部分：一般规定
GB/T 3785.2-2010 电子元器件试验方法 第2部分：试验A：环境、力电参数和一般试验程序的测量
GB/T 3785.3-2010 电子元器件试验方法 第3部分：试验B：可靠性试验
GB/T 3785.4-2010 电子元器件试验方法 第4部分：试验D：电磁兼容性试验
GB/T 3785.5-2010 电子元器件试验方法 第5部分：试验E：机械试验

3.术语和定义
本标准中使用的术语和定义与GB/T 3785.1-2010中的术语和定义相同。

4.测量方法
4.1 测量仪器
测量仪器应符合GB/T 3785.2-2010中的规定。

4.2 测量条件
测量条件应符合GB/T 3785.2-2010中的规定。

4.3 测量步骤
4.3.1 将待测半导体红外发射二极管安装在测量装置上。
4.3.2 将测量装置放置在黑暗的环境中，避免外界光线的干扰。
4.3.3 打开测量仪器，进行零点校准。
4.3.4 将测量仪器的探头对准待测半导体红外发射二极管，记录测量结果。
4.3.5 重复以上步骤，取平均值作为最终测量结果。

5.结果表示
测量结果应以辐射强度的单位（W/m²）表示，并保留至少3位有效数字。

相关标准：
GB/T 3785.1-2010 电子元器件试验方法 第1部分：一般规定
GB/T 3785.2-2010 电子元器件试验方法 第2部分：试验A：环境、力电参数和一般试验程序的测量
GB/T 3785.3-2010 电子元器件试验方法 第3部分：试验B：可靠性试验
GB/T 3785.4-2010 电子元器件试验方法 第4部分：试验D：电磁兼容性试验
GB/T 3785.5-2010 电子元器件试验方法 第5部分：试验E：机械试验