硅中间隙氧含量是硅材料中的重要指标之一，其含量的高低直接影响硅材料的电学性能。因此，准确测量硅中间隙氧含量对于硅材料的生产和应用具有重要意义。

本标准采用布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量。该方法通过测量硅材料在布鲁斯特角入射下的P偏振辐射红外吸收光谱，计算硅中间隙氧含量。

具体操作步骤如下：

1. 样品制备：将待测硅材料切割成薄片，厚度约为0.5mm，表面光洁度要求高。

2. 光学系统调整：将样品放置于光学系统中，调整光路，使得光线以布鲁斯特角入射样品表面。

3. 光谱仪调整：调整光谱仪，使得其输出的光线为P偏振光。

4. 测量：记录样品在布鲁斯特角入射下的P偏振辐射红外吸收光谱，并计算硅中间隙氧含量。

本标准适用于硅材料中间隙氧含量的测量，适用于硅材料的生产和应用领域。

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