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半导体红外发射二极管是一种用于红外线辐射测量的传感器，其工作原理是将红外线辐射转换为电信号输出。在使用过程中，半导体红外发射二极管的结温是一个重要的参数，它直接影响到传感器的性能和寿命。因此，准确测量半导体红外发射二极管的结温是非常必要的。

本标准规定了半导体红外发射二极管的结温测量方法。该方法适用于所有类型的半导体红外发射二极管，包括单晶硅、砷化镓、砷化铝镓等材料制成的二极管。

测量方法如下：

1. 测量仪器的准备

使用具有高精度的温度计和电压表进行测量。温度计的精度应不低于0.1℃，电压表的精度应不低于0.1mV。

2. 测量电路的搭建

将半导体红外发射二极管与电源和电阻组成电路，如图所示。其中，电源的电压应为常数，电阻的阻值应为已知。

3. 测量电路的调整

调整电路，使得半导体红外发射二极管的电流为常数。此时，电路中的电压值即为半导体红外发射二极管的结温。

4. 测量数据的处理

将测量得到的电压值和电阻值代入公式中，即可计算出半导体红外发射二极管的结温。

本标准的实施可以保证半导体红外发射二极管的结温测量结果的准确性和可靠性，为半导体红外发射二极管的应用提供了重要的技术支持。

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