：
半导体分立器件是电子工业中的重要组成部分，其中开关晶体管是一种常见的器件。3DK102型NPN硅小功率开关晶体管是一种常用的开关晶体管，本标准旨在规范其分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

1. 分类
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管按照其最大耗散功率和最大集电极电压等级进行分类。具体分类见表1。

表1 分类

|分类|最大耗散功率（mW）|最大集电极电压（V）|
|----|----|----|
|A|200|20|
|B|300|20|
|C|500|20|

2. 要求
2.1 外观和尺寸
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的外观应无裂纹、无氧化、无变形、无锈蚀等缺陷。其尺寸应符合图1所示。

2.2 电气性能
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的电气性能应符合表2所示。

表2 电气性能

|项目|要求|
|----|----|
|最大集电极电流（mA）|100|
|最大耗散功率（mW）|分类A：200；分类B：300；分类C：500|
|最大集电极-基极电压（V）|分类A：20；分类B：20；分类C：20|
|最大集电极-发射极电压（V）|分类A：20；分类B：20；分类C：20|
|最小直流电流放大倍数|分类A：40；分类B：60；分类C：100|

2.3 可靠性
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的可靠性应符合表3所示。

表3 可靠性

|项目|要求|
|----|----|
|热稳定性|在最大耗散功率下，温度升高10℃，最大集电极电流不得超过额定值的10%|
|温度循环|在-55℃和+125℃之间进行20次温度循环，不得出现性能退化|
|湿热循环|在40℃、相对湿度为90%的环境中进行20次湿热循环，不得出现性能退化|
|耐电压|在最大集电极电压下施加1.5倍的额定电压，1min后不得出现击穿和闪络|

3. 试验方法
3.1 外观和尺寸
外观和尺寸的检验方法应符合GB/T 5773.1-2008的规定。

3.2 电气性能
电气性能的检验方法应符合GB/T 5773.2-2008的规定。

3.3 可靠性
可靠性的检验方法应符合GB/T 5773.3-2008的规定。

4. 检验规则
4.1 检验批
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的检验批应按照同一生产日期、同一生产工艺、同一规格、同一等级、同一包装方式等要求进行划分。

4.2 检验项目和数量
检验项目和数量应符合表4所示。

表4 检验项目和数量

|检验项目|数量|
|----|----|
|外观和尺寸|每批不少于50个|
|电气性能|每批不少于50个|
|可靠性|每批不少于50个|

4.3 判定规则
判定规则应符合表5所示。

表5 判定规则

|检验项目|判定规则|
|----|----|
|外观和尺寸|不合格品数不得超过总数的10%|
|电气性能|不合格品数不得超过总数的10%|
|可靠性|不合格品数不得超过总数的10%|

5. 标志、包装、运输和贮存
5.1 标志
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的标志应符合GB/T 13306-2011的规定。

5.2 包装
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的包装应符合GB/T 24646-2009的规定。

5.3 运输
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的运输应符合GB/T 4857.1-2005的规定。

5.4 贮存
3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的贮存应符合GB/T 2423.1-2008的规定。

相关标准：
GB/T 5773.1-2008 半导体器件外观和尺寸检验方法
GB/T 5773.2-2008 半导体器件电气性能检验方法
GB/T 5773.3-2008 半导体器件可靠性检验方法
GB/T 13306-2011 标志和标记通用规则
GB/T 24646-2009 半导体器件包装规范