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SJ/T 9014.8.2-2018是中国电子工业标准化技术协会发布的半导体器件分立器件第8-2部分，主要针对超结金属氧化物半导体场效应晶体管的空白详细规范进行了规定。该标准主要包括以下内容：

1.范围
本标准适用于超结MOSFET空白的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等。

2.引用标准
本标准引用了以下标准：
GB/T 191-2008 包装、贮存和运输标志和标签的通用规定
GB/T 2423.1-2008 环境试验 第2部分：试验A：低温试验的方法
GB/T 2423.2-2008 环境试验 第2部分：试验B：高温试验的方法
GB/T 2423.3-2006 环境试验 第2部分：试验Ca：恒湿热试验的方法
GB/T 2423.4-2008 环境试验 第2部分：试验Db：振动（sinusoidal）试验的方法

3.术语和定义
本标准中使用的术语和定义与GB/T 2977-2008《半导体器件术语》相同。

4.要求
本标准对超结MOSFET空白的要求包括：尺寸、形状、表面质量、电气性能、可焊性、可靠性等方面的要求。

5.试验方法
本标准对超结MOSFET空白的试验方法包括：尺寸测量、表面质量检查、电气性能测量、可焊性试验、可靠性试验等。

6.检验规则和标志
本标准对超结MOSFET空白的检验规则和标志包括：检验方法、检验结果判定、标志等。

7.包装、运输、贮存
本标准对超结MOSFET空白的包装、运输、贮存包括：包装材料、包装方式、运输方式、贮存条件等。

相关标准：
GB/T 2977-2008 半导体器件术语
GB/T 191-2008 包装、贮存和运输标志和标签的通用规定
GB/T 2423.1-2008 环境试验 第2部分：试验A：低温试验的方法
GB/T 2423.2-2008 环境试验 第2部分：试验B：高温试验的方法
GB/T 2423.3-2006 环境试验 第2部分：试验Ca：恒湿热试验的方法