：
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法是一种用于检测硅单晶中III-V族杂质含量的方法。本标准规定了该方法的测试步骤、测试条件、测试结果的判定等内容。

测试步骤：
1. 样品制备：将硅单晶样品切割成适当大小的薄片，并进行表面处理。
2. 测试装置：使用光致发光测试装置进行测试。
3. 测试条件：测试温度为室温，激发光源为氦氖激光器，激发光功率为10mW，激发光波长为632.8nm。
4. 测试过程：将样品放置在测试装置中，进行光致发光测试。
5. 测试结果：根据测试结果，判断样品中III-V族杂质的含量。

测试条件：
1. 温度：测试温度为室温。
2. 激发光源：使用氦氖激光器作为激发光源。
3. 激发光功率：激发光功率为10mW。
4. 激发光波长：激发光波长为632.8nm。

测试结果：
根据测试结果，判断样品中III-V族杂质的含量。如果样品中含有III-V族杂质，则会在测试过程中发出光致发光信号。根据信号的强度和波长，可以判断样品中III-V族杂质的含量。

相关标准：
1. GB/T 19519-2004 硅单晶中杂质元素的测定方法
2. GB/T 19520-2004 硅单晶中杂质元素的测定方法（电感耦合等离子体质谱法）
3. GB/T 19521-2004 硅单晶中杂质元素的测定方法（电感耦合等离子体原子发射光谱法）
4. GB/T 19522-2004 硅单晶中杂质元素的测定方法（电感耦合等离子体质谱法）
5. GB/T 19523-2004 硅单晶中杂质元素的测定方法（电感耦合等离子体原子发射光谱法）