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晶片表面微粒沾污是指晶片表面附着的微小颗粒物质，它们可能会对晶片的性能和可靠性产生影响。因此，对晶片表面微粒沾污进行测量和计数是非常重要的。

本标准主要包括以下内容：

1. 测量方法

晶片表面微粒沾污的测量方法主要有两种：光学显微镜法和粒子计数器法。其中，光学显微镜法适用于测量大颗粒，粒子计数器法适用于测量小颗粒。

2. 测量条件

晶片表面微粒沾污的测量条件包括：温度、湿度、气压、光源、显微镜放大倍数等。这些条件对测量结果有一定的影响，需要在实验中进行控制。

3. 测量结果的处理

测量结果的处理包括：计数、分类、统计等。需要根据实际情况进行选择和处理。

4. 报告要求

测量结果需要进行报告，报告内容包括：测量方法、测量条件、测量结果、处理方法等。报告需要清晰、准确、完整。

相关标准：
1. GB/T 2918-1998 晶体硅片表面缺陷检验方法
2. GB/T 2919-1998 晶体硅片表面缺陷分类和计数方法
3. GB/T 2920-1998 晶体硅片表面缺陷的评定
4. GB/T 2921-1998 晶体硅片表面缺陷的统计方法
5. GB/T 2922-1998 晶体硅片表面缺陷的报告方法