硅抛光片是半导体制造中常用的材料之一，其表面质量对器件性能有着重要的影响。为了保证硅抛光片表面的纯净度和光洁度，需要进行表面清洗。本标准规定了硅抛光片表面清洗的方法。

化学清洗
化学清洗是指利用化学反应去除硅抛光片表面的污染物。具体步骤如下：

1. 硅抛光片表面预处理：将硅抛光片放入去离子水中，超声波清洗10分钟，然后用氮气吹干。

2. 硅抛光片表面清洗：将硅抛光片放入清洗槽中，加入清洗液，清洗液的配方如下：

氢氟酸：30ml/L
硝酸：30ml/L
去离子水：940ml/L

清洗时间为5分钟，温度为25℃。

3. 硅抛光片表面中和：将硅抛光片放入去离子水中，超声波清洗10分钟，然后用氮气吹干。

机械清洗
机械清洗是指利用机械力去除硅抛光片表面的污染物。具体步骤如下：

1. 硅抛光片表面预处理：将硅抛光片放入去离子水中，超声波清洗10分钟，然后用氮气吹干。

2. 硅抛光片表面清洗：将硅抛光片放入清洗槽中，加入清洗液，清洗液的配方如下：

去离子水：1000ml/L

清洗时间为5分钟，温度为25℃。

3. 硅抛光片表面中和：将硅抛光片放入去离子水中，超声波清洗10分钟，然后用氮气吹干。

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