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硅衬底上绝缘体薄膜是半导体器件制造中的重要材料，其厚度和折射率的测量是制造过程中必不可少的环节。YS/T 839-2012标准规定了硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法，为半导体器件制造提供了标准化的测量方法。

该标准要求使用椭圆偏振仪进行测量，测量时需要注意以下几点：

1. 椭圆偏振仪的光源应为单色光源，且光源的波长应与被测样品的吸收峰相对应。

2. 测量时需要将样品放置在椭圆偏振仪的样品台上，并调整样品的位置和角度，使其与光路垂直。

3. 测量时需要记录椭圆偏振仪的读数，并根据标准公式计算出样品的厚度和折射率。

4. 测量时需要进行多次测量，并取平均值作为最终结果。

该标准的实施可以保证硅衬底上绝缘体薄膜厚度和折射率的准确测量，为半导体器件制造提供了可靠的技术支持。

相关标准：
GB/T 13926.1-2008 半导体器件制造术语 第1部分：通用术语
GB/T 13926.2-2008 半导体器件制造术语 第2部分：硅衬底
GB/T 13926.3-2008 半导体器件制造术语 第3部分：绝缘体薄膜
GB/T 13926.4-2008 半导体器件制造术语 第4部分：薄膜厚度
GB/T 13926.5-2008 半导体器件制造术语 第5部分：折射率