硅靶是一种常用的平面磁控溅射靶材，用于制备光学薄膜。本标准对硅靶的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存进行了规定。

硅靶按照制备工艺分为普通硅靶和高纯硅靶两类。普通硅靶的杂质含量应符合表1的要求，高纯硅靶的杂质含量应符合表2的要求。硅靶的尺寸应符合表3的要求。

表1 普通硅靶的杂质含量

| 杂质 | 含量（质量分数） |
| ---- | ---------------- |
| Fe | ≤0.1% |
| Al | ≤0.1% |
| Ca | ≤0.1% |
| Ti | ≤0.1% |
| Cu | ≤0.1% |
| Mg | ≤0.1% |
| Mn | ≤0.1% |
| Ni | ≤0.1% |
| Cr | ≤0.1% |
| Zn | ≤0.1% |
| Pb | ≤0.1% |
| Sn | ≤0.1% |
| B | ≤0.1% |
| C | ≤0.1% |
| O | ≤0.5% |

表2 高纯硅靶的杂质含量

| 杂质 | 含量（质量分数） |
| ---- | ---------------- |
| Fe | ≤0.001% |
| Al | ≤0.001% |
| Ca | ≤0.001% |
| Ti | ≤0.001% |
| Cu | ≤0.001% |
| Mg | ≤0.001% |
| Mn | ≤0.001% |
| Ni | ≤0.001% |
| Cr | ≤0.001% |
| Zn | ≤0.001% |
| Pb | ≤0.001% |
| Sn | ≤0.001% |
| B | ≤0.001% |
| C | ≤0.001% |
| O | ≤0.001% |

表3 硅靶的尺寸

| 尺寸（mm） | 允许偏差（mm） |
| ---------- | -------------- |
| 直径 | ±0.5 |
| 厚度 | ±0.5 |

硅靶的表面应平整、光滑、无裂纹、气泡、夹杂物等缺陷。硅靶的表面粗糙度应符合表4的要求。

表4 硅靶的表面粗糙度

| 表面粗糙度（nm） | 允许偏差（nm） |
| ---------------- | -------------- |
| Ra | ≤0.5 |
| Rz | ≤5 |

硅靶的试样应符合表5的要求。试样的检测方法应符合表6的要求。

表5 硅靶的试样

| 试样 | 尺寸（mm） |
| ---- | ---------- |
| 薄膜 | 10×10 |
| 板材 | 20×20 |

表6 硅靶的试样检测方法

| 试验项目 | 检测方法 |
| -------- | -------- |
| 杂质含量 | 火花原子吸收光谱法 |
| 尺寸偏差 | 量具测量 |
| 表面粗糙度 | 表面粗糙度仪测量 |

硅靶的检验应按照表7的要求进行。硅靶的标志、包装、运输和贮存应符合表8的要求。

表7 硅靶的检验

| 检验项目 | 检验方法 |
| -------- | -------- |
| 外观检验 | 目测 |
| 杂质含量 | 火花原子吸收光谱法 |
| 尺寸偏差 | 量具测量 |
| 表面粗糙度 | 表面粗糙度仪测量 |

表8 硅靶的标志、包装、运输和贮存

| 项目 | 要求 |
| ---- | ---- |
| 标志 | 应标明硅靶的名称、规格、材质、制造厂家、生产批号等 |
| 包装 | 应采用防潮、防震、防锈的包装材料 |
| 运输 | 应轻装轻卸，防止碰撞、摩擦和振动 |
| 贮存 | 应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的库房中，避免阳光直射和雨淋 |

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