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电子薄膜是一种重要的电子材料，广泛应用于电子、光电、信息、通讯等领域。高纯铜溅射靶材是制备电子薄膜的重要原材料之一，其质量直接影响到电子薄膜的性能和稳定性。为了保证高纯铜溅射靶材的质量，提高电子薄膜的制备效率和质量，制定了YS/T 819-2012标准。

本标准将高纯铜溅射靶材分为两类：普通高纯铜溅射靶材和超高纯铜溅射靶材。其中，普通高纯铜溅射靶材的纯度要求不低于99.95%，超高纯铜溅射靶材的纯度要求不低于99.99%。此外，本标准还规定了高纯铜溅射靶材的化学成分、杂质含量、晶粒度、密度、硬度、表面质量等性能指标。

为了保证高纯铜溅射靶材的质量，本标准还规定了试样制备和性能检验方法。试样制备应按照标准规定的方法进行，确保试样的代表性和可靠性。性能检验包括化学成分分析、杂质含量测定、晶粒度测定、密度测定、硬度测定、表面质量检验等项目。其中，化学成分分析和杂质含量测定应采用化学分析方法，晶粒度测定应采用金相显微镜或SEM等方法，密度测定应采用水银密度计或气体比重法，硬度测定应采用维氏硬度计或洛氏硬度计，表面质量检验应采用目视检查或显微镜检查等方法。

本标准还规定了高纯铜溅射靶材的标志、包装、运输和贮存要求。高纯铜溅射靶材应在包装完好的情况下运输和贮存，避免受潮、受热、受压和受撞击等影响。包装应符合国家相关标准和规定，标志应清晰明确，包括高纯铜溅射靶材的名称、规格、批号、生产厂家等信息。

相关标准：
GB/T 5121-2008 铜及铜合金化学分析方法
GB/T 5122-2006 铜及铜合金化学分析方法 硫含量的测定
GB/T 5123-2006 铜及铜合金化学分析方法 铁含量的测定
GB/T 5124-2006 铜及铜合金化学分析方法 镍含量的测定
GB/T 5125-2006 铜及铜合金化学分析方法 铝含量的测定