电子薄膜是一种重要的材料，广泛应用于电子、光电、信息、通信等领域。高纯金属溅射靶材是制备电子薄膜的重要原材料之一，其纯度等级和杂质含量对电子薄膜的性能和质量有着重要的影响。为了保证电子薄膜的质量和稳定性，需要对高纯金属溅射靶材的纯度等级和杂质含量进行分析和报告。

本标准适用于电子薄膜用高纯金属溅射靶材的纯度等级和杂质含量的分析和报告。本标准规定了高纯金属溅射靶材的纯度等级和杂质含量的测定方法、分析结果的报告要求以及质量控制要求等内容。

高纯金属溅射靶材的纯度等级分为五个等级，分别为4N、4N5、5N、5N5和6N，其中4N表示纯度为99.99%，6N表示纯度为99.9999%。杂质含量包括有害杂质和有用杂质两种，有害杂质包括氧、氮、碳、硫、氢等元素，有用杂质包括铁、铜、铝、镁、锌等元素。本标准规定了高纯金属溅射靶材的有害杂质和有用杂质的测定方法和限制要求。

本标准还规定了高纯金属溅射靶材的质量控制要求，包括样品的采集、制备、分析和报告等环节的质量控制要求。同时，本标准还规定了高纯金属溅射靶材的分析结果的报告要求，包括分析结果的准确度、精密度、可重复性等指标的要求。

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