一、范围
本标准适用于电子薄膜用高纯钛溅射靶材的制备、性能检验、标志、包装、运输和贮存。

二、分类和要求
1. 分类
根据制备方法和成分，高纯钛溅射靶材分为两类：电弧熔炼法制备的高纯钛溅射靶材和真空感应熔炼法制备的高纯钛溅射靶材。

2. 要求
高纯钛溅射靶材应符合以下要求：
（1）化学成分：Ti≥99.995%；
（2）杂质含量：C、O、N、H、Fe、Si、Al、Ca、Mg、Ni、Cr、Mn、Cu、Zn、Cd、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Mo、W、Ta、Nb、Zr、Hf、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、U的总量≤50μg/g；
（3）密度：≥4.5g/cm³；
（4）晶粒度：平均晶粒度≤100μm；
（5）表面质量：表面应光洁平整，无明显裂纹、气泡、夹杂物等缺陷；
（6）尺寸：直径≤360mm，厚度≤20mm。

三、试样制备
高纯钛溅射靶材试样制备应符合以下要求：
（1）试样应从高纯钛溅射靶材中随机取样；
（2）试样制备应避免试样表面受到损伤；
（3）试样制备应避免试样表面受到污染。

四、性能检验
高纯钛溅射靶材应进行以下性能检验：
（1）化学成分检验；
（2）杂质含量检验；
（3）密度检验；
（4）晶粒度检验；
（5）表面质量检验；
（6）尺寸检验。

五、标志、包装、运输和贮存
高纯钛溅射靶材应进行以下标志、包装、运输和贮存：
（1）标志：应在高纯钛溅射靶材上标明制造厂家、材料名称、规格、批号、生产日期等信息；
（2）包装：应采用防潮、防震、防锈的包装材料进行包装；
（3）运输：应避免高纯钛溅射靶材受到挤压、碰撞等损伤；
（4）贮存：应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中，避免高纯钛溅射靶材受到潮湿、腐蚀等影响。

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