：
高纯镉是一种重要的半导体材料，其纯度对器件性能有着重要的影响。因此，对高纯镉中痕量杂质元素含量的测定十分重要。本标准采用辉光放电质谱法进行测定，具有灵敏度高、准确度高、选择性好等优点。

1.范围
本标准适用于高纯镉中痕量杂质元素含量的测定。

2.仪器设备
本标准所需的仪器设备包括：辉光放电质谱仪、高纯氩气、高纯氧气、高纯氮气、高纯氦气、高纯氢气等。

3.试样制备
试样应当经过充分的研磨和清洗，以保证试样的纯度。

4.操作步骤
(1)将试样放入辉光放电质谱仪中，加入高纯氩气，进行预处理。
(2)加入高纯氧气，进行氧化处理。
(3)加入高纯氮气，进行稀释处理。
(4)加入高纯氦气或高纯氢气，进行激发放电。
(5)测定各元素的信号强度，并进行定量分析。

5.结果计算
根据测定结果，计算出各元素的含量，并进行数据处理和分析。

6.质量控制
在进行测定过程中，应当进行质量控制，确保测定结果的准确性和可靠性。

相关标准：
GB/T 6908-2017 高纯金属化学分析方法
GB/T 6909-2017 高纯金属化学分析方法 热原子吸收光谱法
GB/T 6910-2017 高纯金属化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法
GB/T 6911-2017 高纯金属化学分析方法 石墨炉原子荧光光谱法
GB/T 6912-2017 高纯金属化学分析方法 石墨炉原子发射光谱法