异质外延层和硅多晶层是半导体器件中常用的材料，其厚度的测量是制备和研究这些器件的重要步骤。本标准提供了两种测量方法，以满足不同材料和设备的要求。

1. 光学测量方法
光学测量方法适用于异质外延层和硅多晶层的厚度测量。该方法基于薄膜的反射和透射特性，通过测量反射和透射光的强度来计算薄膜的厚度。该方法需要使用光学显微镜、反射率计和透射率计等设备。

2. X射线测量方法
X射线测量方法适用于异质外延层和硅多晶层的厚度测量。该方法基于薄膜对X射线的吸收特性，通过测量X射线的吸收强度来计算薄膜的厚度。该方法需要使用X射线衍射仪等设备。

本标准还规定了测量前的样品准备、测量过程中的注意事项和数据处理方法等内容。同时，本标准还提供了光学测量和X射线测量的误差分析方法，以评估测量结果的准确性和可靠性。

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