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硅外延是一种重要的半导体材料，其质量的好坏直接影响到半导体器件的性能。而三氯氢硅是硅外延生长过程中的重要原料之一，其中的总碳含量是影响硅外延质量的重要因素之一。因此，准确测定三氯氢硅中的总碳含量对于保证硅外延质量具有重要意义。

YS/T 1059-2015标准规定了硅外延用三氯氢硅中总碳的测定方法，采用气相色谱法进行测定。该方法具有灵敏度高、准确度高、重现性好等优点，能够满足硅外延用三氯氢硅中总碳的测定要求。

具体测定方法如下：

1. 试样的制备

将三氯氢硅样品称取0.5g，加入100ml锥形瓶中，加入10ml甲苯，振荡混合，使样品充分溶解。

2. 气相色谱仪的条件设置

气相色谱仪的柱温为100℃，检测器温度为250℃，进样口温度为200℃，气体流速为30ml/min。

3. 样品的进样

将制备好的样品注入气相色谱仪中，进样量为1μl。

4. 气相色谱分析

将样品注入气相色谱仪中进行分析，记录峰面积。

5. 计算总碳含量

根据峰面积计算出三氯氢硅中的总碳含量。

本标准的实施可以保证硅外延用三氯氢硅中总碳的测定准确可靠，对于保证硅外延质量具有重要意义。

相关标准：
GB/T 6908-2017 硅外延用三氯氢硅
GB/T 6909-2017 硅外延用三氯氢硅中杂质元素的测定
GB/T 6910-2017 硅外延用三氯氢硅中杂质元素的测定 感应耦合等离子体质谱法
GB/T 6911-2017 硅外延用三氯氢硅中杂质元素的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
GB/T 6912-2017 硅外延用三氯氢硅中杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法