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电子薄膜用高纯钴靶材是一种用于制备电子薄膜的材料。本标准规定了该材料的分类、要求、试样制备、性能要求、检验方法、标志、包装、运输和贮存。

1. 分类和要求
本标准将电子薄膜用高纯钴靶材分为两类：A类和B类。其中，A类钴靶材的纯度要求不低于99.95%，B类钴靶材的纯度要求不低于99.90%。此外，本标准还规定了钴靶材的化学成分、杂质含量、晶粒度等要求。

2. 试样制备
本标准规定了钴靶材试样的制备方法。试样应当从钴靶材的中央部位取样，制备成直径为10mm、厚度为3mm的圆片。试样制备过程中应当注意避免污染和氧化。

3. 性能要求
本标准规定了钴靶材的性能要求，包括密度、电阻率、热导率、热膨胀系数、硬度等指标。其中，密度要求不低于8.9g/cm³，电阻率要求不高于6.5μΩ·cm，热导率要求不低于100W/(m·K)，热膨胀系数要求不高于13×10^-6/K，硬度要求不低于300HV。

4. 检验方法
本标准规定了钴靶材的检验方法，包括化学成分分析、杂质含量测定、晶粒度测定、密度测定、电阻率测定、热导率测定、热膨胀系数测定、硬度测定等方法。

5. 标志、包装、运输和贮存
本标准规定了钴靶材的标志、包装、运输和贮存要求。钴靶材应当在包装上标明材料名称、规格、批号、生产厂家等信息。包装应当采用防潮、防震、防锈等措施。运输过程中应当避免碰撞、摩擦和受潮。贮存时应当避免阳光直射、高温、潮湿等环境。

相关标准：
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