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硅外延层和扩散层是半导体器件中重要的组成部分，其厚度的测定对于器件的性能和质量具有重要的影响。本标准采用磨角染色法对硅外延层和扩散层的厚度进行测定。

1.范围
本标准适用于硅外延层和扩散层的厚度测定。

2.设备和试剂
2.1 磨角仪
2.2 磨角片
2.3 磨角液
2.4 染色液
2.5 显微镜

3.样品制备
3.1 样品的制备应符合相关标准的要求。
3.2 样品的表面应平整、光洁，无明显缺陷。

4.测量步骤
4.1 将样品放置在磨角仪上，调整磨角片的位置，使其与样品表面接触。
4.2 开始磨削，磨削时间应根据样品的厚度和硬度进行调整。
4.3 磨削后，将样品放入磨角液中，清洗去除磨削产生的残留物。
4.4 将样品放入染色液中，染色时间应根据样品的厚度进行调整。
4.5 取出样品，用清水清洗干净，放入显微镜下观察。

5.结果计算
5.1 根据显微镜下观察到的颜色和厚度标准曲线，确定样品的厚度。
5.2 计算样品的平均厚度和标准偏差。

6.质量控制
6.1 样品的制备和测量应符合相关标准的要求。
6.2 磨角片和试剂的质量应符合相关标准的要求。
6.3 测量过程中应注意环境的温度和湿度。

相关标准：
GB/T 19519-2004 半导体器件硅外延层的制备方法
GB/T 19520-2004 半导体器件扩散层的制备方法
GB/T 19521-2004 半导体器件硅外延层和扩散层的厚度测量方法
GB/T 19522-2004 半导体器件硅外延层和扩散层的显微镜检查方法
GB/T 19523-2004 半导体器件硅外延层和扩散层的电学性能测量方法