硅外延层是半导体器件制造中的重要材料之一，其厚度的测定对于器件的性能和质量具有重要的影响。本标准提供了一种基于堆垛层错尺寸法的硅外延层厚度测定方法。

该方法的基本原理是利用硅外延层中的堆垛层错来测定其厚度。在硅外延层的表面形成一定的堆垛层错，然后通过显微镜观察堆垛层错的数量和大小，计算出硅外延层的厚度。

具体的测量步骤如下：

1. 在硅外延层表面形成一定的堆垛层错，可以通过化学腐蚀、离子注入等方法实现。

2. 用显微镜观察堆垛层错的数量和大小，记录下来。

3. 根据已知的硅外延层的晶格常数和堆垛层错的间距，计算出硅外延层的厚度。

需要注意的是，该方法只适用于硅外延层的厚度测定，对于其他材料的厚度测定不适用。

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