：
硅片是半导体材料的重要组成部分，其质量直接影响到半导体器件的性能和可靠性。硅片边缘轮廓是硅片表面与空气或其他介质接触的部分，其形状和质量对于半导体器件的性能和可靠性也有着重要的影响。因此，对硅片边缘轮廓进行检验是非常必要的。

本标准适用于硅片边缘轮廓的检验。检验方法包括目视检查、显微镜检查和扫描电子显微镜检查。检验结果的判定依据硅片边缘轮廓的形状和质量，分为合格和不合格两种情况。检验报告应包括硅片的基本信息、检验方法、检验结果和评定结论等内容。

具体要求如下：

1.检验要求

1.1 硅片边缘轮廓应符合设计要求，无明显的缺陷和损伤。

1.2 硅片边缘轮廓的形状应符合设计要求，无明显的变形和扭曲。

1.3 硅片边缘轮廓的表面应平整，无明显的凹凸和划痕。

2.检验方法

2.1 目视检查

目视检查是最简单、最常用的检验方法。检验人员应在光线充足的环境下，对硅片边缘轮廓进行仔细观察，发现缺陷和损伤时应及时记录。

2.2 显微镜检查

显微镜检查是一种高精度的检验方法。检验人员应使用高倍显微镜对硅片边缘轮廓进行观察，发现缺陷和损伤时应及时记录。

2.3 扫描电子显微镜检查

扫描电子显微镜检查是一种高分辨率的检验方法。检验人员应使用扫描电子显微镜对硅片边缘轮廓进行观察，发现缺陷和损伤时应及时记录。

3.检验结果的判定

3.1 合格

硅片边缘轮廓符合设计要求，无明显的缺陷和损伤，形状符合设计要求，表面平整，无明显的凹凸和划痕。

3.2 不合格

硅片边缘轮廓存在缺陷和损伤，形状不符合设计要求，表面不平整，存在明显的凹凸和划痕。

4.检验报告

检验报告应包括硅片的基本信息、检验方法、检验结果和评定结论等内容。评定结论应明确表示硅片边缘轮廓的检验结果。

相关标准：
GB/T 19532-2004 硅片表面缺陷检验方法
GB/T 19533-2004 硅片表面质量检验方法
GB/T 19534-2004 硅片尺寸检验方法
GB/T 19535-2004 硅片厚度检验方法
GB/T 19536-2004 硅片电性能检验方法