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一、范围
本标准规定了非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试方法，适用于非本征半导体材料的研究和生产。

二、引用标准
下列标准中的条款通过本标准的引用成为本标准的条款。凡是注日期的引用标准，其后所有的修订单（包括勘误单）或修订版均不适用于本标准，但是，对于本标准的引用标准的各方，这些文件的最新版本仍然是适用的。
GB/T 191-2008 线性尺度和角度度量标准及检验
GB/T 8170-2008 数字化处理的数据格式与交换格式
GB/T 9969-2013 电子元器件可靠性试验方法 第1部分：通用试验方法
GB/T 10125-2012 电子元器件可靠性试验方法 第2部分：试验B：高温操作
GB/T 2423.1-2008 环境试验 第2部分：试验A：低温试验

三、术语和定义
3.1 非本征半导体
指掺杂浓度低于本征浓度的半导体材料。
3.2 少数载流子
指在非本征半导体中浓度较低的载流子，如空穴或电子。
3.3 扩散长度
指少数载流子在非本征半导体中扩散的距离。
3.4 表面光电压法
一种测量非本征半导体中少数载流子扩散长度的方法，通过测量样品表面的光电压信号来计算扩散长度。

四、仪器设备
4.1 光源
使用波长为365nm的紫外线灯作为光源。
4.2 光电二极管
使用响应波长为365nm的光电二极管作为检测器。
4.3 电源
使用稳定的直流电源，电压范围为0-10V。
4.4 信号放大器
使用带通滤波器和放大器对检测器输出的信号进行放大和滤波。
4.5 计算机
使用计算机进行数据采集和处理。

五、测试步骤
5.1 样品制备
将非本征半导体样品切割成尺寸为10mm×10mm×1mm的块状样品，并在样品表面涂覆一层透明的导电膜。
5.2 测量表面光电压信号
将样品放置在光源下，调节电源输出电压，使样品表面的光电压信号达到最大值。记录此时的电压值。
5.3 计算扩散长度
根据样品的物理参数和光电压信号计算出扩散长度。

六、结果表示
6.1 测量结果应包括样品的扩散长度和测量误差。
6.2 测量误差应按照GB/T 10125-2012的规定进行计算和表示。

七、实验注意事项
7.1 实验过程中应注意安全，避免紫外线对人体的伤害。
7.2 实验过程中应注意保持样品表面的清洁和光滑。
7.3 实验过程中应注意控制电源输出电压，避免对样品造成损伤。

相关标准：
GB/T 2423.1-2008 环境试验 第2部分：试验A：低温试验
GB/T 10125-2012 电子元器件可靠性试验方法 第2部分：试验B：高温操作
GB/T 9969-2013 电子元器件可靠性试验方法 第1部分：通用试验方法
GB/T 8170-2008 数字化处理的数据格式与交换格式
GB/T 191-2008 线性尺度和角度度量标准及检验