高纯二氧化锗是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、光学等领域。其中砷是高纯二氧化锗中的一种杂质元素，其含量对材料的性能有很大影响。因此，准确测定高纯二氧化锗中砷的含量是非常重要的。

本标准采用石墨炉原子吸收光谱法测定高纯二氧化锗中砷的含量。该方法具有灵敏度高、准确度高、重现性好等优点，适用于高纯二氧化锗中砷含量在0.01~10μg/g范围内的测定。

具体操作步骤如下：

1. 样品的制备

将高纯二氧化锗样品粉碎，过筛，取约0.1g样品，加入10mL浓硝酸和2mL浓氢氟酸混合液，加热至完全溶解，转移至100mL容量瓶中，用水稀释至刻度线。

2. 样品的预处理

取10mL样品溶液，加入2mL浓硝酸和2mL浓氢氧化钠混合液，加热至沸腾，继续加热5min，冷却至室温，用水稀释至25mL。

3. 样品的测定

将样品溶液注入石墨炉中，按照程序进行烘干、热解、原子化等步骤，测定砷的吸收峰面积或峰高，并根据标准曲线计算出砷的含量。

本标准还规定了实验室环境、仪器设备、试剂、标准品、质量控制等方面的要求。

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