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高纯镓是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、太阳能等领域。高纯镓的纯度要求非常高，其中痕量元素的含量对其性能有着重要的影响。因此，对高纯镓中痕量元素的测定方法进行研究和制定标准具有重要意义。

本标准采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）进行高纯镓中痕量元素的测定。该方法具有高灵敏度、高准确度、高精密度等优点，能够同时测定多种元素，适用于高纯度材料中痕量元素的测定。

本标准规定了样品的制备方法、仪器的操作条件、质量控制和数据处理等方面的要求。其中，样品的制备方法包括样品的预处理、溶解和稀释等步骤。仪器的操作条件包括等离子体的参数设置、质谱仪的参数设置等。质量控制包括标准品的选择、加标回收率的测定、空白试验等。数据处理包括数据的校正、质量控制的统计分析等。

本标准的实施可以保证高纯镓中痕量元素的测定结果准确可靠，为高纯镓的生产和应用提供技术支持。

相关标准：
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