JB/T 8736-1998
电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片
发布时间:1998-05-28 实施时间:1998-11-01


电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片是一种高性能、高可靠性的材料,广泛应用于电力电子领域。本标准主要针对电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片的技术要求进行规定,以保证其质量和可靠性。

1. 技术要求
1.1 化学成分
氮化铝陶瓷基片的化学成分应符合表1的要求。

表1 化学成分要求

| 序号 | 化学成分 | 质量分数(%) |
| ---- | -------- | -------------- |
| 1 | Al2O3 | ≥ 96 |
| 2 | SiO2 | ≤ 0.5 |
| 3 | Fe2O3 | ≤ 0.15 |
| 4 | Na2O | ≤ 0.3 |
| 5 | K2O | ≤ 0.3 |
| 6 | CaO | ≤ 0.3 |
| 7 | MgO | ≤ 0.3 |
| 8 | TiO2 | ≤ 0.3 |
| 9 | ZrO2 | ≤ 0.3 |
| 10 | Cr2O3 | ≤ 0.3 |
| 11 | MnO | ≤ 0.3 |
| 12 | NiO | ≤ 0.3 |
| 13 | CuO | ≤ 0.3 |
| 14 | CoO | ≤ 0.3 |
| 15 | PbO | ≤ 0.3 |
| 16 | SnO2 | ≤ 0.3 |
| 17 | Sb2O3 | ≤ 0.3 |
| 18 | As2O3 | ≤ 0.3 |
| 19 | CdO | ≤ 0.3 |
| 20 | CrO3 | ≤ 0.3 |
| 21 | V2O5 | ≤ 0.3 |
| 22 | P2O5 | ≤ 0.3 |

1.2 物理性能
氮化铝陶瓷基片的物理性能应符合表2的要求。

表2 物理性能要求

| 序号 | 物理性能 | 要求 |
| ---- | -------- | ---- |
| 1 | 密度 | ≥ 3.25 g/cm³ |
| 2 | 抗弯强度 | ≥ 350 MPa |
| 3 | 断裂韧性 | ≥ 4.0 MPa·m½ |

1.3 尺寸和形状
氮化铝陶瓷基片的尺寸和形状应符合设计要求,并应符合表3的要求。

表3 尺寸和形状要求

| 序号 | 尺寸和形状 | 要求 |
| ---- | ----------- | ---- |
| 1 | 厚度 | 0.5 mm ~ 1.5 mm |
| 2 | 长度 | ≤ 120 mm |
| 3 | 宽度 | ≤ 80 mm |
| 4 | 平面度 | ≤ 0.05 mm |
| 5 | 平行度 | ≤ 0.05 mm |
| 6 | 垂直度 | ≤ 0.05 mm |

2. 试验方法
2.1 化学成分的测定
采用化学分析法进行测定。

2.2 物理性能的测定
2.2.1 密度的测定
采用水密法进行测定。

2.2.2 抗弯强度和断裂韧性的测定
采用三点弯曲法进行测定。

2.3 尺寸和形状的测定
采用量具进行测定。

3. 检验规则和标志
3.1 检验规则
氮化铝陶瓷基片的检验应符合GB/T 2828.1的规定。

3.2 标志
氮化铝陶瓷基片应在其包装上标明以下内容:
a) 生产厂家名称或商标;
b) 产品名称、型号和规格;
c) 生产日期或批号。

4. 包装、运输及贮存
4.1 包装
氮化铝陶瓷基片应采用防震、防潮、防污染的包装材料进行包装。

4.2 运输
氮化铝陶瓷基片在运输过程中应注意防震、防潮、防污染。

4.3 贮存
氮化铝陶瓷基片应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中,避免受到机械冲击和振动。

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