电力半导体器件用硅圆片是电力电子器件的重要组成部分，其质量直接影响到电力电子器件的性能和可靠性。为了保证电力半导体器件用硅圆片的质量，提高电力电子器件的性能和可靠性，制定了本标准。

本标准适用于电力半导体器件用硅圆片的生产、检验和使用。

本标准将电力半导体器件用硅圆片分为以下几类：

1. N型硅圆片
2. P型硅圆片
3. N+型硅圆片
4. P+型硅圆片
5. N-型硅圆片
6. P-型硅圆片

本标准对电力半导体器件用硅圆片的要求包括以下几个方面：

1. 外观要求：硅圆片表面应平整光滑，无裂纹、气泡、污点等缺陷。
2. 尺寸要求：硅圆片的直径、厚度、平行度等尺寸应符合标准规定。
3. 杂质控制：硅圆片中的杂质含量应符合标准规定。
4. 电学性能：硅圆片的电学性能应符合标准规定。

本标准还规定了电力半导体器件用硅圆片的试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存等方面的要求。

相关标准
GB/T 19519-2004 电力电子器件用硅晶片
GB/T 19520-2004 电力电子器件用碳化硅晶片
GB/T 19521-2004 电力电子器件用氮化硅晶片
GB/T 19522-2004 电力电子器件用氮化铝晶片
GB/T 19523-2004 电力电子器件用氮化镓晶片