IEC 62047-3:2006
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 3: Thin film standard test piece for tensile testing
发布时间:2006-08-15 实施时间:


IEC 62047-3:2006标准规定了用于测试微电子机械器件薄膜材料的标准试样的制备方法和测试方法。该标准适用于用于微电子机械器件的薄膜材料,例如金属、半导体和绝缘体。标准试样的制备方法和测试方法旨在确保试样的准确性和可重复性,以便进行材料性能的比较和评估。

标准试样的制备方法包括以下步骤:

1. 选择合适的薄膜材料和厚度。
2. 使用光刻技术在薄膜上制备标准试样的图案。
3. 使用化学腐蚀或离子刻蚀技术将标准试样从薄膜中剥离出来。
4. 对标准试样进行清洗和干燥处理。

标准试样的测试方法包括以下步骤:

1. 将标准试样夹在拉伸测试机上。
2. 施加拉伸力,直到试样断裂。
3. 记录试样的拉伸力和伸长量。
4. 根据拉伸力和伸长量计算试样的应力和应变。
5. 根据应力-应变曲线计算试样的杨氏模量和屈服强度。

该标准的目的是为了确保薄膜材料的性能测试结果准确可靠,以便进行材料性能的比较和评估。标准试样的制备方法和测试方法的准确性和可重复性对于薄膜材料的性能测试至关重要。

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