IEC 62418:2010
Semiconductor devices - Metallization stress void test
发布时间:2010-04-22 实施时间:


半导体器件是现代电子产品中不可或缺的组成部分,其可靠性和质量对产品的性能和寿命有着至关重要的影响。金属化层是半导体器件中的重要组成部分,用于连接不同的器件元件和电路。然而,金属化层中的应力空洞可能会导致器件失效,从而影响产品的可靠性和质量。因此,对金属化层中的应力空洞进行测试和评估是非常重要的。

IEC 62418:2010是一项用于半导体器件的标准,旨在评估金属化层中的应力空洞对器件可靠性的影响。该标准提供了一种测试方法,用于检测金属化层中的应力空洞,并确定其对器件性能的影响。该标准适用于各种类型的半导体器件,包括集成电路、晶体管、二极管等。

该标准要求在制造过程中对金属化层进行测试,以确保器件的可靠性和质量。测试过程包括在金属化层上施加压力,以模拟器件在使用过程中的应力情况。然后,使用显微镜检查金属化层中是否存在应力空洞,并确定其大小和数量。最后,通过对测试结果进行分析,确定应力空洞对器件性能的影响。

该标准的实施有助于提高半导体器件的可靠性和质量,并确保其符合国际标准。此外,该标准还可以帮助制造商识别和解决金属化层中的应力空洞问题,从而提高生产效率和降低成本。

相关标准
- IEC 60749-14:2008 半导体器件-机械和环境试验-第14部分:应力测试
- IEC 60749-15:2008 半导体器件-机械和环境试验-第15部分:温度循环测试
- IEC 60749-17:2008 半导体器件-机械和环境试验-第17部分:湿度测试
- IEC 60749-19:2008 半导体器件-机械和环境试验-第19部分:ESD测试
- IEC 60749-20:2008 半导体器件-机械和环境试验-第20部分:可靠性评估