场效应晶体管是一种基于半导体材料的电子器件，具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，被广泛应用于电子设备中的功率放大、开关、调节等电路中。为了保证场效应晶体管的质量和可靠性，IEC 60747-8:2010标准规定了场效应晶体管的术语、定义、符号、分类、性能、试验方法、封装和标记等方面的要求。

首先，该标准对场效应晶体管的术语和定义进行了规定。例如，场效应晶体管的输入端称为栅极，输出端称为漏极，控制电压称为栅极电压，漏极电流称为输出电流等。这些术语和定义的规定有助于消除不同厂家之间的语言障碍，提高产品的互换性和可比性。

其次，该标准对场效应晶体管的分类进行了规定。根据不同的工作原理和结构特点，场效应晶体管可以分为MOSFET、JFET、MESFET等多种类型。其中，MOSFET是最常见的一种场效应晶体管，具有输入阻抗高、噪声低、开关速度快等优点，被广泛应用于电子设备中的功率放大、开关、调节等电路中。

第三，该标准对场效应晶体管的性能进行了规定。例如，场效应晶体管的最大漏极电流、最大漏极电压、最大功率耗散等性能指标都需要符合标准规定的要求。这些性能指标的规定有助于保证场效应晶体管的质量和可靠性。

第四，该标准对场效应晶体管的试验方法进行了规定。例如，场效应晶体管的静态特性试验、动态特性试验、温度特性试验等都需要按照标准规定的方法进行。这些试验方法的规定有助于保证场效应晶体管的性能和可靠性。

第五，该标准对场效应晶体管的封装和标记进行了规定。例如，场效应晶体管的封装形式、引脚排列、尺寸等都需要符合标准规定的要求。同时，场效应晶体管的标记也需要按照标准规定的方法进行，以便于产品的识别和追溯。

综上所述，IEC 60747-8:2010标准的制定对于保证场效应晶体管的质量和可靠性、提高产品的互换性和可比性、促进国际贸易的发展具有重要意义。

相关标准
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- IEC 60747-2:2006 半导体器件-离散器件-第2部分：二极管
- IEC 60747-3:2006 半导体器件-离散器件-第3部分：晶闸管
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