IEC 62047-8:2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
发布时间:2011-03-14 实施时间:


薄膜材料在微电子机械器件中广泛应用,因此对其力学性能的评估非常重要。薄膜的拉伸性能是其中一个重要的参数,可以用于评估薄膜的强度和韧性。IEC 62047-8:2011标准提供了一种用于测量薄膜拉伸性能的条形弯曲试验方法。

该试验方法的原理是将薄膜样品固定在两个夹具之间,然后施加一个向下的力,使得薄膜在夹具之间发生弯曲。通过测量薄膜的弯曲半径和夹具之间的距离,可以计算出薄膜的应变。通过不断增加施加的力,可以得到薄膜的应力-应变曲线。从该曲线中可以得到薄膜的弹性模量、屈服强度、断裂强度等力学性能参数。

该试验方法适用于厚度在1μm至100μm之间的薄膜,包括金属、半导体和绝缘体材料。在进行试验前,需要对夹具进行校准,以确保夹具之间的距离和施加的力的准确性。同时,需要对薄膜样品进行处理,以确保其表面光滑、无缺陷。

IEC 62047-8:2011标准的实施可以帮助制造商和用户评估薄膜材料的力学性能,从而更好地设计和制造微电子机械器件。该标准的实施还可以促进国际贸易,因为它提供了一种通用的测试方法,可以用于不同国家和地区生产的薄膜材料。

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