IEC 62047-9:2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
发布时间:2011-07-13 实施时间:


MEMS是一种集成了微型机械、电子、光学和生物技术的微型系统,具有体积小、重量轻、功耗低、响应速度快等优点,广泛应用于传感器、执行器、生物芯片等领域。MEMS器件通常由多个晶片组成,晶片间的键合强度对器件的性能和可靠性有着重要的影响。因此,MEMS晶片间键合强度的测量和评估是MEMS器件研发和生产中的重要环节。

IEC 62047-9:2011规定了MEMS晶片间键合强度的测量方法和测试条件,主要包括以下内容:

1. 测试样品的制备:将待测试的MEMS晶片通过键合技术与基底晶片键合成一个整体,然后将整体切割成多个测试样品。

2. 测试设备的选择和校准:选择合适的测试设备,如万能试验机、压痕仪等,并进行校准。

3. 测试条件的确定:包括测试温度、湿度、载荷速率等条件的确定。

4. 测试方法的执行:将测试样品放置在测试设备上,施加载荷,记录载荷-位移曲线,计算出键合强度。

5. 测试结果的评估:根据测试结果,评估MEMS晶片间键合强度的可靠性和一致性。

除了上述内容,IEC 62047-9:2011还对MEMS晶片间键合强度的测量和评估提出了一些额外要求,如测试样品的数量、测试结果的统计分析等。这些要求旨在确保测试结果的准确性和可靠性。

总之,IEC 62047-9:2011是一项关于MEMS晶片间键合强度测量的标准,对于MEMS器件的研发和生产具有重要意义。通过遵循该标准,可以保证MEMS晶片间键合强度的准确测量和可靠评估,提高MEMS器件的性能和可靠性。

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